【国盛电子】AI引爆供需缺口,光芯片迎黄金机遇
2026-03-16 01:37:08  新浪网   [查看原文]

(来源:湘论科技)报告摘要AI需求旺盛而EML产能紧缺,高端EML供需缺口扩大。一方面,光芯片需求旺盛,各大厂商加码AI芯片竞赛,具体来看,英伟达Rubin网卡升规且数量翻倍,谷歌TPUv7性能强劲,亚马逊Trainium3升级显著,驱动800G/1.6T光模块的需求增长,提升GPU互联效率。AI基础设施建设对以太网交换机和高速光模块的强劲需求,以及光互连技术在AI scale-up网络中的应用推广,带动光芯片需求提升。在AI算力集群中,EML芯片的价值更为凸显。另一方面,EML技术门槛高且光学组件复杂,以及设备生产、工艺调试的较长周期,导致了当前的供应紧张。全球EML产能较集中,主要由Lumentum、Coherent、三菱、住友、博通、索尔思等少数巨头主导,供应排至2027年后,国产替代空间广阔。EML与硅光双技术长期将并行发展。1)在400G/通道的3.2T及更高速率的场景下,目前EML技术已经基本成熟,而硅光等方案还在进行技术探索。数据中心和电信设备商在现有架构上切换成本高、周期长,因此在未来相当长一段时间内EML的需求依然会持续,并且更高速率EML的开发进度能够友好的支撑3.2T以上光模块的需求。2)随着数据中心、核心骨干网等场景进入到800G/400G及更高速率时代,单通道所需的激光器芯片速率要求将随之提高,利用CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代硅光技术成为一种趋势,硅光需外置CW激光器作为光源,硅光方案推动CW激光器需求提升。英伟达40亿美元光布局,加速CPO技术路线落地。英伟达于2025年3月宣布在其交换机上采用200G/通道的CPO技术,Lumentum和Coherent为该技术所需激光组件的核心供应商。2026年3月2日,英伟达向Lumentum和Coherent分别投资20亿美元,配套数十亿美元的采购承诺以及未来先进激光组件的产能使用权。我们预期AI集群规模继续放大、互联带宽持续升级,光学用量将系统性上行。短期来看,800G/1.6T出货节奏明确,产业链价值长期向上游PIC/硅光工艺、激光器件、先进封装/光电共封装能力迁移,上游激光、关键光学器件的产能优势将更加凸显。海外大厂指引光芯片供需紧缺,看好光芯片景气周期。Lumentum FY26Q2业绩超预期,营收6.66亿美元,同比增幅超65%,高增长动力源于云光模块,并且OCS和CPO的巨大潜力正在释放,验证了AI算力建设的高景气。其中,100G及200G EML出货量创新高,200G EML占数据通信芯片总出货量的5%,而贡献了高达10%的激光器营收。FY26Q3指引强劲,预计非GAAP总营收为7.8-8.3亿美元,中值同比增速超85%。Lumentum 表示磷化铟扩产超预期,单FYQ2已完成产能增长超20%(完成此前预期的一半以上);而EML供需仍有25%-30%缺口,订单被深度锁定至2027年底; 首批1.6T收发器以200G EML为主,客户目前EML需求强劲。此外,OCS业务超预期,需求来自3家核心客户且均大幅增订,OCS积压订单激增至4亿美元以上,交付高峰将在2026下半年。索尔思:全球光芯片巨头,EML与硅光方案并行发展,全栈式能力领军。东山精密通过收购索尔思光电,快速切入光通信市场,索尔思具备EML与硅光方案双技术路线储备,光芯片产能领先。索尔思基于自研的单波200G的EML芯片,已开发出QSP和QDD封装的800G FR4和AR4产品,已在关键客户处做测试认证,并在开发1.6T的光模块产品;400G PAM4 EML芯片正在研发,将赋能3.2T光模块。索尔思光芯片产量目前全球领先,25H1全球排名第七,市占率从2024年的1.9%上升至4.4%,预计扩产后市占率和排名有望继续大幅提升,达到全球产能顶尖水平。反映到业绩上,公司25H1盈利能力大幅提升,25H1营收22亿元,同比大幅增长109%,净利润2.9亿元,同比激增581%。我们认为随着公司扩产加速,美国客户进展顺利,在手订单充足,预计2026年产品结构将大幅改善,未来净利润率有望持续提升。风险提示:下游需求不及预期风险、研发进展不及预期风险、地缘政治风险。目录1、AI驱动高速互联扩张,高速率光芯片需求激增 1.1 光芯片是光模块的核心组件,EML芯片供应紧缺 1.2 高端光芯片产能缺口扩大,国产替代空间广阔2、英伟达40亿美元光布局,CPO技术路线加速落地 3、海外大厂指引光芯片供需紧缺,看好光芯片景气周期 4、索尔思:全球光芯片巨头,全栈式能力领军 风险提示AI驱动高速互联扩张,高速率光芯片需求激增1.1光芯片是光模块的核心组件,EML芯片供应紧缺光芯片是光器件中的核心元器件,实现光电信号转换。光通信等应用领域中,激光器芯片和探测器芯片合称为光芯片。光芯片系实现光电信号转换的基础元件,其性能直接决定了光通信系统的传输效率。光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等网络系统里,光芯片都是决定信息传输速度和网络可靠性的关键。光芯片可以进一步组装加工成光电子器件,再集成到光通信设备的收发模块实现广泛应用。光芯片处于光通信产业的最上游,越高速率光模块光芯片成本越高。从产业链角度看,光芯片与其他基础构件(电芯片、结构件、辅料等)构成光通信产业上游,产业中游为光器件,包括光组件与光模块,产业下游组装成系统设备,最终应用于电信市场,如光纤接入、4G/5G移动通信网络,云计算、互联网厂商数据中心等领域。光器件是光模块产品中成本最高的部分。从芯片层面来看,光芯片又是TOSA与ROSA成本最高的部件,越高速率光模块光芯片成本越高。一般高端光模块中,光芯片的成本接近50%。光芯片种类繁多,按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片。光无源组件在系统中消耗一定能量,实现光信号的传导、分流、阻挡、过滤等交通功能,主要包括光隔离器、光分路器、光开关、光连接器、光背板等;光有源组件在系统中将光电信号相互转换,实现信号传输的功能,主要包括光发射组件、光接收组件、光调制器等。光芯片加工封装为光发射组件(TOSA)及光接收组件(ROSA),再将光收发组件、电芯片、结构件等进一步加工成光模块。光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片,其中激光器芯片主要用于发射信号,将电信号转化为光信号,探测器芯片主要用于接收信号,将光信号转化为电信号。激光器芯片按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片,面发射芯片包括VCSEL芯片,边发射芯片包括FP、DFB和EML芯片;探测器芯片主要有PIN、APD、SPAD、SiPM。InP与GaAs:光通信芯片的核心衬底。光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)作为芯片的衬底材料,相关材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点,符合高频通信的特点,因而在光通信芯片领域得到重要应用。其中,磷化铟(InP)衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片,主要应用于电信、数据中心等中长距离传输;砷化镓(GaAs)衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片,主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域。EML激光器属于边发射激光器(EEL)。工作波长为1270-1610nm,本质是电吸收调制激光器,集成了DFB激光器和电吸收调制器,通过电场调制的方式,EML激光器可以实现对激光输出强度的调控,从而实现光信号的调制和传输。优势是调制频率高、稳定性好、传输距离长,但成本较高;多用于高速率长距离场景,像电信骨干网、城域网及数据中心互联。EML激光器在光通信领域有着广泛的应用,在光纤通信系统领域用于长距离、高速数据传输;又能够应用于数据中心互连,实现数据中心内部和数据中心间的高速连接;还可以支持无线接入网络,为5G和未来移动通信系统的高速数据传输提供支撑;同时也可用于光储存器,在光存储系统中用于信息读写和传输。EML的工作原理是通过电吸收调制光信号。1)激射阶段(Lasing Stage):施加电流使激光器段产生激射,并形成初始光信号。2)调制阶段(Modulation Stage):通过调制器段施加调制电压,调控光信号的强度和频率。3)复用与传输(Multiplexing and Transmission):将调制后的光信号与其他信号进行复用,用于数据传输或通信。EML“一芯难求”是多重因素叠加的结果:1)从技术根源来看,EML芯片集成度高,制备精度要求也高,细微的材料缺陷等都会影响芯片性能和可靠性;2)EML工艺流程较复杂,从外延生长到晶圆流片和测试封装,每一步都需要严格的控制,端到端良品率提升难度大。3)产业链扩产存在刚性周期,光芯片设备生产(比如EBL货期>1年)、工艺调试都需要较长周期,无法快速响应爆发式增长的市场需求。在高速率光通信场景中,预计EML方案在很长一段时间内具有不可替代的技术价值。首先,EML将DFB激光器与EAM单片集成,具备高速调制、低啁啾、高消光比、低功耗等特性,非常适合2 km及以上中长距传输,是400G/800G数据中心交换机和电信网络的主流方案之一。同时,在400Gbps/lane的3.2T及更高速率的场景下,目前EML技术已经基本成熟,而硅光等方案还在进行技术探索。数据中心和电信设备商在现有架构上切换成本高、周期长,因此在未来相当长一段时间内EML的需求依然会持续下去,并且更高速率EML的开发进度能够友好的支撑3.2T以上光模块的需求。AI驱动800G/1.6T光模块的需求增长,提升GPU互联效率。在AI算力集群中,EML芯片的价值更为凸显。800G/1.6T光模块需同时满足低时延、高带宽与低功耗需求,而EML芯片的调制带宽超过50GHz,可支持单波200G传输,显著提升GPU互联效率。以华工正源的1.6T硅光模块为例,其内置的EML芯片通过三维集成技术,将空间利用率提升50%,单模块功耗降低28W,直接降低了AI训练集群的电力成本。此外,EML芯片的波长稳定性优于硅光方案,在跨省骨干网传输中可提升60%的传输距离,降低40%的单比特成本。全球EML产能较集中,由少数厂商主导,供应排至2027年后。综上,EML激光因在单一芯片内整合了信号调变功能,生产门槛极高且光学组件复杂,导致了当前的供应紧张,主要由Lumentum、Coherent、三菱、住友、博通、索尔思等少数厂商供应。TrendForce集邦咨询指出,由于800G以上的高速光收发模块的庞大需求,已在供应链最上游激光光源造成严重供给瓶颈,英伟达等大客户锁定核心产能,导致EML交期已排至2027年后,严重制约800G/1.6T模块的快速放量。2024年全球EML激光芯片市场规模达37.1亿元,中国厂商正在加速替代。根据电子发烧友网数据,2024年,全球EML激光芯片市场规模达37.1亿元,中国市场规模为12.0亿元,预计2030年将增长至74.12亿元,年复合增长率12.23%。日本三菱电机、美国Lumentum与芬兰Hisilicon占据高端市场,而中国厂商正通过“技术突破+生态协同”实现反超。例如,源杰科技凭借25G EML芯片量产能力,获得华为与英特尔订单,其100G EML芯片已进入800G光模块供应链。国产替代的驱动力来自两方面:一是政策支持,国家“东数西算”工程推动低功耗光模块需求,硅光与EML技术均获得专项基金;二是产业链协同,华工科技通过投资云岭光电,实现了25G至100G光芯片的自主可控,将交付周期从数月压缩至数周,成本降至原来的1/5。2025年,国内EML芯片产能扩张显著,斑岩光子晶圆良率达92%。1.2高端光芯片产能缺口扩大,国产替代空间广阔海外厂商把控光芯片市场。海外光芯片公司普遍具有从光芯片、光收发组件、光模块全产业链覆盖能力,除了衬底需要对外采购,海外领先光芯片企业可自行完成芯片设计、晶圆外延等关键工序,可量产25G及以上速率光芯片。此外,海外领先光芯片企业在高端通信激光器领域已经广泛布局,在可调谐激光器、超窄线宽激光器、大功率激光器等领域也已有深厚积累。全球光通信芯片市场呈现出明显的梯队竞争格局,Broadcom、Lumentum、Coherent等欧美企业凭借深厚的技术积累、长期的市场耕耘以及强大的研发实力,处于第一梯队,牢牢占据主要市场份额。在高端产品领域,如高速率、高性能的EML芯片、复杂的光集成芯片等方面,它们拥有绝对优势,广泛应用于对性能要求极高的数据中心核心交换、长距离骨干网通信等场景。国内高端光芯片(25G+)国产化率仅约4%,国产替代空间广阔。国内的光芯片生产商普遍具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力,而光芯片核心的外延技术并不成熟,高端的外延片需向国际外延厂进行采购,限制了高端光芯片的发展。国内相关企业仅在2.5G和10G光芯片领域实现核心技术的掌握,2.5G及以下速率光芯片国产化率超过90%;10G光芯片国产化率约60%;25Gbs及以上的光芯片国产化率低,仅有4%。根据长光华芯,全球高端光芯片产能缺口已扩大到25%-30%,再加上国产化率低,双重因素驱动了当前短期比较急缺的100G/200G的EML芯片和70~100mW的CW光源,以及100G PAM4 VCSEL芯片,预计短缺格局将持续至2027年,为国产厂商切入供应链提供了至少2–3年的缓冲期。英伟达40亿美元光布局,CPO技术路线加速落地英伟达向Lumentum和Coherent分别投资20亿美元。2020年初,英伟达以69亿美元收购Mellanox Technologies,借此正式切入以太网与InfiniBand光收发器市场,从Lumentum、当时即将与Coherent合并的企业及其他厂商,采购激光器、PIC等核心器件,全力发展LinkX线缆与收发器业务。随着系统制造商触及铜缆的物理极限,硅光子学在带宽、延迟、功耗、热量和可靠性方面均优于铜缆,2026年3月2日,根据多年非独家光学协议,英伟达向Lumentum和Coherent分别投资20亿美元,配套数十亿美元的采购承诺以及未来先进激光组件的产能使用权。对于Lumentum,将直接助力其在美国新建晶圆厂,以提高产能并加速创新,满足未来人工智能数据中心的需求;对于Coherent,进一步深化双方长达20年的合作关系,其将扩大对英伟达的产品线供应。AI集群的扩展瓶颈从“算”转向“连”。随着大模型参数迈向万亿级,传统可插拔光模块在带宽密度与功耗墙面前步履维艰。铜缆在224Gbps的速率下,传输距离已被压缩至两米以内。此时,共封装光学(CPO)技术从实验室命题跃升为产业核心议题。CPO技术将光引擎与交换芯片或计算芯片封装在一起,把高速电信号传输限制在毫米级距离内,中远距离传输则交由光纤完成。相较于传统方案,其功耗可降低40%以上,带宽提升3倍,延迟缩短50%,正是英伟达正在大力推进的技术路线。根据LightCounting,2025年至2030年间,以太网交换芯片(包括共封装光学CPO的价值)将以43%的复合年增长率增长,预计到2030年,CPO将为交换芯片市场带来约47亿美元的新增价值。Lumentum与Coherent深度参与英伟达CPO项目。英伟达于2025年3月宣布在其InfiniBand和以太网交换机上采用200G/通道的CPO技术,而Lumentum和Coherent正是该技术所需激光组件的核心供应商。可以看到,对于400k* GB200 NVL72部署,从基于DSP收发器的三层网络迁移到基于CPO的两层网络,可以节省高达12%的集群总功耗,将收发器功耗从计算资源的10%降低到仅占计算资源的1%。外置光源(ELS)避免反复的热循环缩短激光器的使用寿命。在Quantum-X和Spectrum-X交换机中,支撑光学性能的核心是其先进的外部激光源(ELS)模块,重塑了激光源如何将光传输到内置光引擎的方式。ELS 模块位于独立于主交换机机箱的专用热控环境中,确保每个激光器均在稳定的散热条件下运行,不仅有效减少了波长漂移,还能缓解老化机制可能导致的早期故障。每个ELS包含八个高质量激光器,这些激光器通过光纤精确耦合至光学引擎。单个ELS可支持Quantum-X交换机的576个发送通道中的32个通道,为CPO光引擎提供稳定且分布式的光源,实现高带宽密度;Spectrum-X交换机将采用相同的ELS模块,其中单ASIC使用16个模块。硅光模块是基于CMOS工艺的集成光通信方案,用于应对高速率需求。随着数据中心、核心骨干网等场景进入到800G/400G及更高速率时代,单通道所需的激光器芯片速率要求将随之提高,利用CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代硅光技术成为一种趋势。硅光需外置CW激光器作为光源。硅光芯片的组成包括:1)数字信号处理器(DSP):实现串并/并串转换、纠错、遥测、速率适配及互通性等信号处理功能;2)驱动器(Driver):放大来自数字信号处理器的电信号,用于驱动激光器工作;3)跨阻放大器(TIA):放大探测器输出的电信号;4)硅光芯片(SiPho):完成电信号与光信号的双向转换;5)连续波激光器(CW Laser):提供连续波形式的激光光源。受限于硅材料本身特性的限制,目前硅光方案还需要通过外置光源耦合的方式为硅基芯片提供持续稳定的光输入,这对外置光源激光器提出了更高要求:稳定的单模输出、优异的高温性能、高可靠性。当前硅光外置光源通常是采用工作在O波段的连续波(CW)分布反馈式半导体激光器(DFB)芯片。CW激光器性能决定模块效能与成本。CW激光器即连续波激光器,是通过持续的激发能量来实现激光输出的,意味着激光一直保持开启直到停止。CW激光器通常具有较低的峰值功率和较高的平均功率。在数据中心和高速光模块中,CW激光常作为“载波”,通过外部调制器(如硅光调制器)对光信号进行数据编码,实现高速信息传输。数据显示,这种“外调制”方式在800G、1.6T等超高速光模块中更为高效,例如应用于1.6T硅光模块泵浦光源中,能有效降低功耗和信号失真。作为核心发光元件,CW DFB光源技术路线的选择直接影响着光模块的性能、可靠性与成本结构,如材料体系(InGaAsP /InGaAlAs)、波导结构(BH/RWG)及集成方案,从根本上决定了光模块的性能上限、可靠性表现与成本构成。因EML短缺,CW+硅光方案成AI数据中心替代选择。CW(连续波)激光仅负责提供恒定光源,并搭配半导体晶圆代工厂制造的硅光子(Silicon Photonics)芯片作为外部调变器,才能将电信号转换为光信号进行传输。因此不需在激光芯片上整合调变功能,芯片结构较单纯,这也是在EML激光短缺之际,采用硅光子技术的CW激光方案成为各大CSP厂积极转进替代首选原因。综上,我们认为,英伟达向上游光器件供应商投入40亿美元,是预期AI集群规模继续放大、互联带宽持续升级,光学用量将系统性上行;同时释放CPO主流形态将采用“外置光源+内置硅光”的架构,印证ELS技术路线的发展。短期来看,800G/1.6T出货节奏明确;随着Spectrum-X/Quantum-X交换机上推进更深度的光学集成,产业链价值向上游PIC/硅光工艺、激光器件、先进封装/光电共封装能力迁移,上游激光、关键光学器件的产能优势将在长期更加凸显。国际硅光市场由Intel与Cisco主导。国际方面,Intel、Cisco是行业龙头,合计占据全球硅光模块88%的市场份额——Intel已出货超过800万个光子集成电路(PIC),Cisco通过收购Acacia强化硅光相干模块能力,2024年推出1.6T OSFP-XD硅光模块。Broadcom、Marvell也在800G/1.6T领域布局,Broadcom的51.2T CPO交换机已商用。另一方面,跨国合作项目加速推进技术攻坚。由意法半导体(STMicroelectronics)主导的欧盟STARLight项目,汇聚了11个国家的24家机构,被选为欧盟芯片计划的重点工程。该项目旨在2028年前攻克300毫米硅光技术,围绕高速调制器、片上激光器、新材料集成(如铌酸锂)和先进封装等核心挑战展开研究,目标是为数据中心、AI、通信和汽车应用提供下一代解决方案。中国企业在硅光模块、芯片及产业生态领域加速追赶。在此背景下,中国企业在硅光领域正加速追赶,并通过在模块量产、芯片研发与生态建设上聚焦突破,逐步在部分细分领域站稳脚跟。1)在模块量产方面,中际旭创、新易盛表现突出。中际旭创2025年上半年实现归母净利润39.95亿元,同比增长69.40%;新易盛同期归母净利润达39.42亿元,同比增长355.68%,通过收购Alpine强化硅光芯片自研能力;索尔思推进共封装光学元件的激光封装技术,与英特尔在硅光方面战略合作,开发800G的高速光模块。2)在芯片与光器件领域,多家企业实现技术突破。光迅科技与思科联合推出1.6T OSFP-XD硅光模块,CW激光器、探测器芯片等核心光芯片实现自研;熹联光芯发400G DR4/800G DR8/800G 2xFR4硅光芯片,建成国内第一条硅光芯片及封测生产线,实现整体解决方案的量产;仕佳光子则在硅光模块的核心光源上取得进展,为国产硅光模块提供关键器件支撑,公司境外市场拓展成效显著,收入占比持续提升。3)在产业生态建设方面,国内逐步完善工艺平台与标准体系。重庆联合微电子中心(CUMEC)发布130nm硅光工艺PDK,支持高速调制器与探测器集成;上海微技术工业研究院(SITRI)建成国内首条8英寸硅光中试线,良率突破95%;2024年9月,国家信息光电子创新中心发布全国产化12寸硅光全流程套件(PDK/ADK/TDK),首次实现从设计、制造、测试到封装的全流程标准化,为国内硅光芯片大规模量产奠定基础。中国在本土技术能力上快速追赶。海外大厂指引光芯片供需紧缺,看好光芯片景气周期Lumentum:磷化铟晶圆厂产能排满,EML订单已被预订至2027年底。FY26Q2业绩超预期,收入同比增幅超65%,激光芯片和收发器系统均以60%以上的增速同比增长。FY26Q2,Lumentum营收连续第二个季度创纪录,达6.66亿美元(接近指引区间上沿),qoq+24.7%,yoy+65.5%,验证了AI算力建设的高景气,高增长动力源于云光模块,OCS和CPO的巨大潜力正在释放;非GAAP毛利率为42.5%,qoq+3.1pcts,yoy+10.2pcts。分业务看,FY26Q2,元件业务营收为4.44亿美元,环比增长17.0%,同比增长68.3%,其中100G及200G EML出货量创新高,200G EML占数据通信芯片总出货量的5%,而贡献了高达10%的激光器营收;系统业务营收为2.22亿美元,环比增长43.5%,同比增长60.1%,主要得益于云光模块出货量创纪录,OCS季度收入突破1000万美元。1)EML产能全部被预定,供需仍有25%-30%缺口。催生LTA(长期约束协议)全面铺开,客户将订单深度锁定至2027年底。2)OCS业务超预期:需求来自3家核心客户且均大幅增订,OCS积压订单激增至4亿美元以上,交付高峰将在2026下半年。3)磷化铟产能爬坡提速,扩产超预期:FY26Q1预计未来几个季度将实现约40%的产能扩充,单FY26Q2已完成产能增长超20%(完成一半以上),产能增量核心来自相模原工厂,英国卡斯威尔、日本高尾工厂后续将贡献产能。4)云端收发器规模突破预期:原计划年营收控制在10亿美元内(季度2.5亿美元),现因多客户需求旺盛难以限制;1.6T产品利润率显著优于 800G,可通过产品组合管理改善。5)双技术并行增长:首批1.6T收发器以200G EML为主,客户目前EML需求强劲,长期硅光技术将占据收发器出货主流;EML在WDM架构主导,硅光在并行光纤应用领先,两者同步增长。即使在向硅光转变,EML出货量仍相当可观地上升。6)CPO当前聚焦scale-out,2027年迎新增量:日历年Q4 CPO营收约5000万美元(或更高),新增数亿美元超高功率激光器订单,预计2027年上半年出货;功率激光器晶圆厂已售罄,产能释放是当前核心任务。FY26Q3指引强劲,预计非GAAP总营收指引中值同比增速超85%。展望FY26Q3,预计约三分之二的环比营收增长由组件产品组合驱动,剩下的三分之一将来自系统,由高速光模块的持续爬坡和OCS的额外贡献推动。基于以上预期,非GAAP总营收预计为7.8-8.3亿美元,指引范围的中点为8.05亿美元,中值预计环比增长21.0%、同比增长89.3%。非GAAP营业利润率预计为30%-31%,非GAAP每股收益预计为 2.15-2.35美元。海外大厂指引光芯片供需紧缺,我们看好光芯片景气周期持续。具体来看:✔ Coherent:需求端,800G和1.6T收发器订单均呈强劲增长,其中1.6T产品是驱动本季度增长的主力,预计2026年,其与800G产品的需求量将一同显著增长。供应端,Coherent持续扩大收发模块及其关键光学组件的产能,位于美国德克萨斯州的全球首条6英寸磷化铟生产线已投产且稳健增长,位于瑞典雅法拉的第二条6英寸产线已启动生产,两地并行扩产将使公司内部磷化铟总产能在未来一年内实现翻倍。除了关键激光生产能力外,Coherent还在扩展收发模块组装能力,马来西亚、越南等地工厂均计划扩产。新增长领域,Coherent已于9月开始为CPO及硅光应用送样400毫瓦连续波(CW)激光器,预计将支持多种CPO形态,满足横向扩展与纵向升级的数据中心需求。预计CPO将于2026年开始初步部署,并在随后数年持续增长。✔ Lumentum:FY26Q1 EML激光器创下了出货量纪录,主要由100Gbps线速产品需求驱动,200Gbps线速产品出货亦同步增长。同时,Lumentum已开始向800G光模块制造商交付CW激光器,标志着产品路线图迈出关键一步。由于客户需求强劲,磷化铟晶圆厂产能已全部分配完毕,目前Lumentum已规划清晰路径,FY26Q1 预计未来几个季度将实现约40%的单元产能扩充,单FY26Q2已完成产能增长超20%,为2026年激光芯片出货再攀新高、巩固数据中心磷化铟光源领导地位奠定基础。✔ Tower:25Q3硅光子产品收入5200万美元,同比增长约70%,主要系1.6T产品加速量产,叠加400G/800G的强劲需求驱动。产能方面,已在德州Fab 9出货,预计Q4出货将达数千片;以色列Fab 2处于资格认证阶段,预计2026年Q1首次生产发货;300mm硅光子已于上季度公布的创新接收端产品启动晶圆生产,预计Q4开始贡献收入。Tower预计2025年硅光子业务营收将超过2.2亿美元,同比激增109.5%。在3.5亿美元专项投资基础上,Tower已启动一项额外的3亿美元投资,用于在Fab 3、Fab 9、Fab 2和Fab 7工厂进一步大规模扩张硅光子产能并升级下一代能力,目标是在2026年下半年实现晶圆投片的满负荷量产。✔ 住友电工:25H1通信业务营业利润同比增长超三倍,生成式AI推动的数据中心扩张持续拉动光器件、光连接器、光缆及化合物半导体衬底等光通信核心产品需求,并促使下游对更高速率、更低延迟及更低功耗解决方案的要求提升。基于上述趋势,公司将强化数据中心相关产品产能,并通过业务代谢将资源向高附加值光通信产品倾斜,重点布局数据中心用光缆、超低损耗光连接器及超高速光器件,以把握相关需求的持续增长。✔ 三菱电机:26H1半导体与器件业务中,电力模块需求承压拖累收入,但数据中心相关光通信器件需求保持强劲,出货增长对冲部分下行压力;在产品结构改善及成本控制推动下,板块盈利能力仍获得支撑。✔ 博通:AI网络需求前置释放,交换机、DSP以及激光器、PIN二极管等光学组件需求显著增强,与XPU业务共同推动公司AI订单储备增至约730亿美元,其中约200亿美元来自网络与光互联相关产品。同时,公司在1.6T DSP及配套光学组件方面获得创纪录订单,客户公司在算力部署前优先推进高速互联建设。博通对400G、800G及向1.6T演进的光互联路径保持推进,进一步印证高速光通信需求的持续性。索尔思:全球光芯片巨头,全栈式能力领军索尔思具备EML与硅光方案双技术路线储备,当前以EML为主力,同时培育具备显著低成本、低功耗及高集成优势的硅光方案。索尔思最大的优势是IDM,拥有自研的EML芯片,同时与英特尔有硅光方面的战略合作,会使用英特尔的硅光解决方案开发800G的高速光模块。索尔思基于自研的单波200G的EML芯片,已开发出QSP和QDD封装的800G FR4和AR4产品,已在关键客户处做测试认证,同时也在开发1.6T的光模块产品。索尔思光电在光芯片产量方面保持领先地位, 2024年其光芯片产量全球排名第七,市占率为1.9%;25H1排名维持第七,市占率上升至4.4%,东山精密收购后预计扩产加速,市占率有望继续大幅提升,公司的两个光芯片开发设计场所分别在中国台湾新竹和江苏常州。业绩方面,公司2024年营收29亿元,净利润4.0亿元;25H1营收22亿元,同比大幅增长109%,净利润2.9亿元,同比激增581%。400G PAM4 EML芯片在研发,将赋能3.2T光模块。2025年9月10日,在第26届中国国际光电博览会上,索尔思展示了基于单波200G技术的1.6T及800G光模块系列产品,并在展位(11B33号)现场成功演示最新款的1.6T OSFP系列光模块以及800G系列光模块,这些新产品将适用于支持新一代AI/ML数据中心的商用部署。具体来看:✔1.6T光模块:本次参展的1.6T DR8/2xFR4光模块采用多种技术方案,包括采用自研单波200G PAM4 CWDM/LWDM EML激光器的方案,与合作伙伴联合开发的采用InP技术的PIC集成方案,以及采用混合集成技术的硅光方案。✔ 800G光模块:索尔思光电在展会现场实时展示了其800G全系列产品在网络测试仪的跑流测试,这些800G产品包括单波长100G的2xSR4,2xDR4,2xFR4和单波长200G的DR4, FR4, LR4等光模块以及DAC/ACC/AEC铜缆产品,支持OSFP(含IHS和RHS)和QSFP-DD两种封装以及MPO-12,MPO-16,LC等多种光接口模式。索尔思光电的800G光模块产品家族为AI/ML数据中心提供全面的高速光电连接方案,其强大的生产能力可支持客户AI数据中心的快速部署。✔  光芯片:索尔思光电在展会现场展示了200G和100G PAM4 EML的芯片和晶圆。100G PAM4 EML芯片发货量已达千万级,该芯片用在400G和800G光模块产品上,200G PAM4 EML芯片目前已进入量产阶段,将支撑1.6T光模块的快速量产,公司正在研发的400G PAM4 EML芯片将赋能3.2T光模块。✔  正在推进共封装光学元件的激光封装技术,该技术整合了开关功能与光电转换功能,能显著缩短信号路径并降低延迟,使其非常适合用于AI训练与推理。东山精密:战略布局光芯片+光模块领域,拓展新的业务增长点。AI技术的突破加大云厂商对算力数据中心的资本性支出,光通信市场需求持续增长,光芯片缺货趋势延续。东山精密通过收购索尔思光电,并于2025年10月顺利并表,快速切入光通信市场。索尔思的光芯片自研能力为核心竞争力,当前以EML方案为主力推进800G/1.6T产品送样,同时重点培育硅光技术。索尔思2024年实现净利润约4亿人民币,25H1业绩提升明显,我们预计2026年产品结构将大幅改善,未来净利润率有望持续提升。风险提示下游需求不及预期风险:光芯片需求高度依赖AI算力、通信基建等下游领域,若AI商业化落地放缓、电信运营商缩减基建投资,或替代技术挤压传统光芯片市场空间,将直接导致光芯片需求疲软,影响行业整体营收。研发进展不及预期风险:高端光芯片研发涉及复杂工艺与技术壁垒,且技术路线迭代速度快,若企业在核心工艺突破、新材料应用上遇阻,或研发方向与市场需求脱节,将延缓产品落地,丧失市场竞争优势。地缘政治风险:全球贸易政策不确定性增加,缘冲突或技术封锁可能导致供应链中断,影响企业生产与订单交付。

OCR:IMG:图表17:2024-2025年址光市场数据通信领城出货量的市场份额 图表18:光通信的硅光价值链 2024-2025 market share for datacom shipments* Silicon photonics value chain for optical communication intel COHERENT P 2024 资料来源:YoleIntelligence, 智能传感器网,国盛证券研究所 资料来源:YoleGroup. 智能传感器网,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表15:硅光芯片具有高度集成的特性 图表16:硅光模块的内部结构 硅光模块 硅光芯片 硅光器件 What'sinside siliconphotonicsmodule? 滤波器 光源制器 CMOS 电话 DSP Orive electrical signal from DSP to dr TIA Transimpedance ampodier) Amplities eiec SIPhc CW Laser winve (CWi) lader soufc) 资料来源:集搬咨询,国盛证券研究所 资料来源:Marvell,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表2:光通信产业链图 光无源芯片 光无源器件/模块 光有源芯片 系统设备 IC芯片 光有源器件/模块 电信网络 用户 数据中心 光 光纤预制棒 光缆 线缆材料 上游 中游 下游 用户 资料来源:仕佳光子招股书,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表9:共封装光学(CPO)方案 Co-PackagedOptics(CPO)onSubstrate OpticalEngine Connector FAU Fiber PC 10 SwitchASIc RemoteLaser Source HostPCB 资料来源:Semianalysis,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表25:索尔思高速EML激光器和晶圆 资料来源:光纤在线,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表11:基于CPO可节省12%集群总功耗 400k*GB300NVL72GPUClusterTotalPower LPO CPO (3-Layer (3-Layer (2-Layer Network) Network) Network) Total Power Total Power Total Power Item (MW) (MW) (MW) ComputeResources 280 280 280 AllOtherServer 114 114 114 ServerTotal 394 394 394 Optical Transceivers 40 28 5 Switches 56 56 34 Networking 96 84 39 AllOthers 1 1 1 Total ClusterPower 492 480 434 Transceivers%ofComputeResources 10% 7% 1% Transceivers%ofTotalClusterPower 8% 6% 1% ClusterPowerSavingsvsDsPTransceivers 2% 12% 资料来源:Semianalysis,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表26:索尔思1.6T光模块212GPAM4眼围 图表27:素尔思800G模块在网络测试仪上跑流测试 Opticaleye-diagram@212G TDECQ=1.2dB@ER=4dB 资料来源:光纤在线,国盛证券研究所 资料来源:光纤在线,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表14:外部激光源(ELS)模块 资料来源:Nvidia,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表23:25H1全球高速光芯片产量份额情况 图表24:索尔思财务数据 H,10.38% (亿元) 2023 24H1 2024 25H1 索尔思光电, 4.4% 其他,3.9% 收入 13.05 10.34 29.45 21.61 J, 0.4% yoy 126% 109% F,5.0% 毛利润 2.48 2.33 8.79 5.81 E, 12.5% A;21.7% yoy 254% 149% B,20.8% 毛利率 19% 23% 30% 27% 净利润 -0.22 0.43 4.02 2.93 D,12.5% C,16.7% yoy 扭亏 581% 净利率 -2% 4% 14% 14% 资料来源:东山精密港股招股书,国盛证券研究所 资料来源:东山精密港股招股书,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表12:英伟达Quantum-X&Spectrum-X交换机 图表13:英伟达CPO技术路线 NvidiaCPORoad 3450CPO 2H2025 2H 2026 IniBand Switch ASIC houf perPackage 28.8Tbps 102.4 Tbps (not al-to-al) 115.2 Tbps 102.4 Tbps (not al--a) 409.6T SerDes speed (Gb/s s 200 Gbs OR Optis 200 Gbps DR Optics 128 512 width and Logical Port 144 Ports of 800G 256 Pors of 4000 512Ports of 200G 128 Ports of 800G 512 Ports of 800G thper Optical Engine (OE) 1. Ttp 3.2Ttps ber of OEs 72 21 128 18 64 资料来源:Semianalysis,英伟达,国盛证券研究所 资料来源:SemiAnalysis, 国盛证券研究所

OCR:IMG:图表21:LumentumFY2026Q3业绩指引 Q3FY26Guidance(Non-GAAP) Guidanceisbasedonourexpectationsasoftodayandwillnotbeupdatedorconfirmed Q2FY26 Q3FY26 Actual Guidance (1) Sinn pt forEPS Revenue $665.5 $780-$830 OperatingMargin 25.2% 30.0%-31.0% Diluted EPS $1.67 $2.15-$2.35 Diluted Shares-M 86.1 92.0 资料来源:Lumentum,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表19:LumentumFY2026Q2业绩情况 Q2FY26Results(Non-GAAP) Q2FY26 Q1FY26 Q2FY25 Sin millons except forEPS Revenue $665.5 $533.8 $402.2 Gross Margin 282.6 42.5% 210.3 39.4% 130.0 32.3% OperatingExpenses 114.9 17.3% 110.5 20.7% 98.3 24.4% Operating Incomo 167.7 25.2% 99.8 18.7% 31.7 7.9% Diluted EPS $1.67 $1.10 $0.42 Diluted Shares-M 86.1 78.3 71.6 资料来源:Lumentum,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表5:光芯片分类及产业链示意图 传输速率 传输距离 按有源光圈件分类 FP芯片 155M-10G 20km. 5G基站 数据中心 消费电子 DFB芯片 (VCSEL) 激光 2.5M-40G 40km () P 只 芯片 EML芯片 大于10G 大于40km 应用场 VCSEL芯片 155M-25G 500m 珠测器 PIN芯片 155M-10G 小于40km () P 职 光芯片 芯片 APD芯片 1.25G-10G 长距南 按无源光睡件分类 PLC芯片 应用场景 光纤到户 骨干网/核心网 数据中心 无源光 实现相同波长的信号的分路和合路 翻件芯片 AWG芯片 基于PLC将不同波长的光信号实现复用/解复用 到 按材料分类 inF 高速直接调制DFB和EML芯片、PIN和APD芯片:高速调制器芯片:多通道可调激光器芯片 GaAs 高速VCSEL芯片:原浦激光器芯片 si/sio2 PLC.AWG.MEMS芯片 SiP 相干光收发芯片:高速调制器、光开关芯片:TIA、LDDriver、CDR芯片 LiNbO3 高速调制器芯片 资料来源:亿波数据, 《2022年中国光芯片行业研究报告》,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表3:光模块结构示意图 图表4:边发射激光芯片(左)和面发射激光片(右)示意围 光模块结构示意图(SFP+封装) 激光器芯片(LDChip) 1 光发射组件 (TOSA) 光模快 光接收组件 (ROSA) 探测器芯片(PDChip) 边发射激光芯片(左)和面发射激光片(右)示意图 资料来源:源杰科技招股书,国盛证券研究所 资料来源:苏州长光华芯光电技术招股书,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表8:英伟达向Lumentum和Coherent分别投资20亿美元 CHERENT LUMENTUM NVIDIA to Invest $2 Billion in Lumentum to Grow Capacity, Advance US-Based Manufacturing and Deepen R&D Collaboration in Data Center Optics SANTA CLARA, CA and SAXONBURG, PA NVIDIA and Coherent Corp. SANTA CLARA, Calif. and SAN JOSE, Calif. March 02, 2026 (GLOBE NEWSWIRE) NVIDIA toda) announced multiyear strategic agreements with Lumentum Holdings Inc. (NASDAQ: LITE) to arch and development, to enable nex-generation Al infrastructure accelerate innovation in advanced optics technologies, including research and development, to enable next-generation Al infrastructure and systems designs. The nonexclusive agrement inclues an NVDA mubilio-dollrpurchase The nonexclusive agreement includes an NVIDIA multibillion purchase commitment and future Coherent to suppor reserch and development, tuture capacilty and operat capacity access righits for advanced laser components. In addition, NVIDIA is investing $2 billion In Lumentum to support R&o, future capacity and operations as the company builds out its U.S. based manufacturing capabilities in a new fab

OCR:IMG:图表6:光芯片分类与定义 分类 定义和特性 面发射激光器 垂直腔面发射激光器,出光方向垂直于芯片表面,具有低阔值电流、高效率和 (VCSEL) 易集成特性,常用于短波长(800-980nm)场景,如消费电子3D传感和短距离 通信。 边发射激光器 光子沿芯片平面方向发射,包括FP、DFB、EML等类型,支持长波长(1270-1610 (EEL) nm),适用于光纤通信、激光雷达和工业加工。 激光器芯片 FP激光器 法布里-珀罗激光器,结构简单、成本低,但存在多纵模问题,适用于中低速短 距离光传输。 分布反馈激光器,内置布拉格光栅实现单纵横输出,波长稳定性高,适用于中 DFB激光器 长距离光通信。 EML激光器 电吸收调制激光器,集成DFB激光器和电吸收调制器,支持高速长距离传输, 广泛用于电信骨干网。 PIN探测器 无增益机制,灵敏度低但噪声小、成本低,适用于中短距离光通信(如GPON)。 利用雪崩倍增效应放大信号,灵敏度高但需高压驱动,适用于长距离通信和高 APD探测器 灵敏度探测场景。 探测器芯片 SPAD 单光子雪崩二极管,可探测单光子级别信号,用于量子通信和高精度激光雷达。 硅光电倍增管,由SPAD阵列组成,结合高增益和低电压驱动优势,适用于医疗 SiPM 成像和固态激光雷达。 资料来源:

OCR:IMG:图表7:光芯片国产化率情况 ■国产化率 250Gbs及以上 4% 100Gbs 60% 低于100Gbs 90% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 资料来源:中商产业研究院,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表20:LumentumFY2026Q2分业务业绩情况 RevenuebyProductType Q2FY26 Q1FY26 Q2FY25 Sin millions Components $443.7 66.7% $379.2 71.0% $263.7 65.6% Systems 221.8 33.3% 154.6 29.0% 138.5 34.4% Total $665.5 100.0% $533.8 100.0% $402.2 100.0% 资料来源:Lumentum, 国盛证券研究所

OCR:IMG:图表1:光芯片在光通信系统中的应用 激光器 光信号 探测器 芯片 芯片 物理流 信息源 光发射机 光纤光缆 光放大器 光接收机 信息源 信息流 光信号产生 电信号输入 光信号传输 光信号处理 光信号探测 电信号输出 光信号调制 资料来源:源杰科技招股书,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表10:CPO为交换芯片市场带来的增量情况 3,000 Ethernet&InfiniBandSwitchChips≥51.2T 8811-8 2,500 LIGHTCOUNTING 2,000 (x)stun 1,500 WithoutCPO 1,000 WithCPO 500 2025 2026 2027 2028 2029 2030 资料来源:LightCountingMarketResearch,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表22:海外大厂指引光芯片供需紧缺 公司名称 800G和1.6T收发器订单均呈强动增长,美中1.6T声品 Coherent持续扩大收发视块及其关键光学组件的产能,位于美国德免萨斯州的全 供路 Coherent 品的需求量将一同显著增长 是题动本季度增长的主力, 预计2026年,其与800G产 首条6英寸磷化细生产线已投产且稳健增长,位于瑞典推法拉的第二条6英寸产线已 启动生产。两地并行扩户将使公司内部磷化销总户统在未来一年内实现翻债 目前Lumentum己规划清晰路径,EY26Q1预计未来几个季度持实现约40%的单元 Lumentum 由于客户需求强动, 确化银品图厂户能已全邻分配完量户绝扩充,单FY26Q2已完点产能增长超20%,为2026年激光芯片出货再等新高、 巩团数据中心确化钢光源领导地位奠定基础 产能方面, 己在德州Fab9出货,预计Q4出货将达数千片:以色列Fab2处于资格 25Q3硅光子产品收入5200万美元,同比增长约 认证阶段,预计2026年Q1首次生产发量:300mm硅光子已于上季度公布的创新接 Tower 70%,主要系1.6T产品加追量产,叠加400G/800G的收端产品启动品图生产,预计Q4开始贡献收入,在3.5亿美元专项投资基助上, 强助需求驱动,Towor预计2025年硅光子业务营效 Towore启动一项额外的3亿美元投资,用于在Fab3、Fab9、Fab2和Fab7工 济超过22亿美元,同比激增109.5% 厂进一多大规模扩张硅光子产绝并升级下一代能力,目标是在2026年下半年实现 25H1通信业务营业利润网比增长超三债,生成式AI 品图投片的满负荷量产 推动的数据中心扩张持绘拉动光器件、光连接器、 公司将强化数据中心相关产品产统,并通过业务代谢将壹源向高附加佳光通信产 住友电工 光现及化合物半导体村底等光通信核心产品需求, 品领,重点布局数据中心用光缆、超低损耗光进接器及超高速光器件,以把握相 并促使下游对更高速率、更低延迟及更低功耗解决 关需求的持续增长 数据中心相关光通信器件需求保持强动 方室的要求提升 三菱电机 A网络需求前置释放,交换机、DSP以及激光器、 PIN二极管等光学组件需求显著增强,与XPU业务典 博通 网推动公司Al订单储备增至约730亿美元,其中约 200亿美元来自网络与光至联相关产品,同时,公 可在1.6TDSP及配套光学组件方面获得创纪录订 单,客户公的在果力部著前优光推进高进在联建设 资料来源:各公司法说会,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表8:英伟达向Lumentum和Coherent分别投资20亿美元 CHERENT What iee ywow loeking fer? LUMENTUM NVIDIA to Invest S2 Billion in Lumentum to Grow Capacity, Advance US-Based Manufacturing and Deepen R&D Collaboration in Data Center Optics SANTA CLARA, CA and SAXONBURG, PA NVIDIA and Coherent Corp. nenft to advance the SANTA CLARA, Calif. and SAN JOSE. Calif., March 02, 2026 (GLOBE NEWSWIRE) - NVIDIA today frontier ot advanoed optics technologies, including manuflacturing capecity and announced multiyear strategic agreements with Lumentum Holdings Inc. (NASDAQ: LITE) to research and development, to enable ned-generationAlinfrastructure. accelerate innovation in advanced optics technologies, including research and development, to enable next-generation Al infrastructure and systems designs. The nonexclustive agreement includes an NVIDIA multilion-doller purchase commitment and future acoess and capecity ights for advnced lsr nd The nonexclusive agreement includes an NVIDiA moltibillion purchase commitment and future optical netwking prots I addiion,A isisting $2 bllon in capacity access rights for advanced laser components. In addition, NVIDIA is investing $2 billion in Lumentum to support R&O, future capacity and operations as the company builds out its U.5. as Coherent builds out its U.S-based manufacturing capabiities based manufacturing capabilities in a new fab 资料来源:Coherent,Lumentum,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表12:英伟达Quantum-X&Spectrum-X交换机 图表13:英伟达CPO技术路线 Nvidia CPO Roadmap 3450CPO Launch Date 2H2025 2H2026 InfniBand Switch ASIC 28.8Ths Quantum-3 Spectrum-6 Throughout per Package 102.4Tbpe Switch Aggregate Bandwidth 115.2Tops 102.4 Tbps 409.6Tbps (not al-lo-al) not alMo-al SerDes speed (Gb/s uni-d) 200 Gbs 200 Gbps Optical Connectivity DR Opties OR Optics IMPO Ports 144 128 512 144 Ports of 800G 512 Ports of 200G 128 Ports of 800G 512 Ports of 800G 6 1512:200 Bandwidth per Optical Engine (OE) 1.6Tbps 218 3.2 Thps Number of OEs 72 0 External Light Sources (ELSs) 18 资料来源:Semianalysis,英伟达,国盛证券研究所 资料来源:SemiAnalysis,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表9:共封装光学(CPO)方案 Co-PackagedOptics(cPo)onSubstrate OpticalEngine Connector FAU Fiber C Remote Laser SIC HostPCB 资料来源:Semianalysis,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表26:索尔思1.6T光模块212GPAM4眼围 图表27:索尔思800G模块在网络测试仅上跑流测试 Opticaleye-diagram@212G SPSOURCI TDECQ=1.2dB@ER=4dB 资料来源:光纤在线,国盛证券研究所 资料来源:光纤在线,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表15:硅光芯片具有高度集成的特性 图表16:硅光模块的内部结构 硅光模块 硅光芯片 硅光器件 What'sinside silicon photonics module? 波器 光源制器 液 光源 无源件 CMOS 电 DSP Drivet 小R寸 TIA SIPh CW Laser 资料来源:集微咨询,国盛证券研究所 资料来源:Marvel,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表23:25H1全球高速光芯片产量份额情况 图表24:索尔思财务数据 (亿元) 2023 24H1 2024 25H1 索尔思光电, 4.4% 收入 13.05 10.34 29.45 21.61 3, 0.4% F, 5.0% yoy 126% 109% 毛利润 2.48 2.33 8.79 5.81 E, 12.5% A,21.7% yoy 254% 149% B,20.8% 毛利率 19% 23% 30% 27% 净利润 -0.22 0.43 4.02 2.93 D,12.5% C,16.7% yoy 扭亏 581% 净利率 -2% 4% 14% 14% 资料来源:东山精密港股招股书,国盛证券研究所 资料来源:东山精密港股招股书,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表17:2024-2025年硅光市场数据通信领域出货量的市场份额 图表18:光通信的硅光价值链 2024-2025 market share for datacom shipments* Silicon photonics value chain for optical communication Major PICs ntel C@HERENT oya + W nte 工 02 司 资料来源:YoleIntelligence,智能传感器网,国盛证券研究所 资料来源:YoleGroup,智能传感器网,国盛证券研究所

OCR:IMG:图表3:光模块结构示意图 图表4:边发射激光芯片(左)和面发射激光片(右)示意图 光模块结构示意图(SFP+封装) 激光器芯片(LDChip) 光发射组件 (TOSA) 光模块 光接收组件 (ROSA) 探测器芯片(PDChip) 边发射激光芯片(左)和面发射激光片(右)示意图 资料来源:源杰料技招股书,国盛证券研究所 资料来源:苏州长光华芯光电技术招股书,国盛证券研究所

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